（毕业论文 字数：5589 页数：7）摘　要:第三代宽带隙半导体材料具有高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力等优点，是未来材料发展中的新星。SiC作为第三代半导体的核心材料之一，具有优良的物理化学性能，应用前景十分广阔
本文综合介绍SiC 的基本特性, 材料的制备技术(包括体单晶生长和薄膜外延生长技术) , SiC 基器件的研发现状, 并讨论了存在的各种问题。

关键词：第三代半导体,碳化硅,制备技术

目录

1、 SiC 材料的结构与特性
2、 SiC 材料的制备
3、 SiC 器件研究
4、 结语


以碳化硅(SiC) 、氮化镓( GaN) 、氧化锌(ZnO)为代表的半导体材料称为第三代半导体材料,由于SiC 和GaN 材料的禁带宽度较Si 、GaAs 等材料更宽,因而它们一般具有高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力,因而更适合于制作高温、高频及大功率器件,故称这类材料为宽禁带半导体材料（禁带宽度大于2.2ev）,也称高温半导体材料。
SiC 是第三代半导体材料的核心之一，与Si , GaAs 相比, SiC 具有很多优点,如带隙宽, 热导率高, 电子饱和漂移速率大, 化学稳定性好等, 非常适于制作高温、高频、抗辐射、大功率和高密度集成的电子器件。利用其特有的禁带宽度(2. 3～3. 3 eV) , 还可以制作蓝、绿光和紫外光的发光器件和光探测器件。与其他化合物半导体材料如GaN , AlN 等相比, SiC 的独特性质是可以形成自然氧化层SiO2。 这对制作各种以MOS (metal-oxide- semicondu-ctor)为基础的器件(从集成电路到门电路绝缘功率管) 是非常有利的。表1为几种SiC多型体及其它常见半导体材料性能的比较。