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前言
一MOS在模拟电路中的应用
二Multisim软件的高级使用（各种分析方法、注意点及不收敛的解决对策）
三用Multisim分析各种典型MOS模拟电路
四用Multisim设计几种典型MOS模拟电路及相关建模
附录参考书籍
结尾 参考资料 1.许泽鹏主编《电子技术》人民邮电出版社
2.田良等编著《综合电子设计与实践》东南大学出版社
3.范爱平编著《电子电路实验于虚拟技术》山东科学技术出版社
4.张占松等编著《电路和系统的仿真实践》科学出版社
5.中国计量出版社《新编电子电路大全》中国计量出版社
6.克劳斯.贝伊特等编著《基本电路》科学出版社
7.华永平等编著《电子线路课程设计》东南大学出版社
8.耿文学等编著《电工电子精选电路详解》电子工业出版社
9.内山明治等编著《运算放大电路》科学出版社
10.*《电子电路分析与设计》电子工业出版社
11.*高文焕等编著《模拟电路的计算机分析与设计（Pspice程序应用）》清华大学出版社
12.常华 编著 《电子设计竞赛辅导（滤波器的设计）》讲义中国农业大学信息与电气工程学院
13.北京交通大学《04年EDA竞赛辅导课2（建模与滤波器设计）》

前言 2004-10-16参加了北京市大学生电子设计大赛。比赛是结束了，但我觉得一个多月来的辛苦，不能就这样默默地告终，终究应该留下点东西。也许个中价值不是很大，但是对于那些喜欢这方面却苦于没有资料参考的后来者应该算是一个不小的帮助。在此，总结了竞赛准备期间的种种经验心得，以期有助于人。 一MOS在模拟电路中的应用 在这部分，我的目的是给那些已经熟悉了半导体基础知识的人作一梗概小结，重点在于引进MOS部分的应用。 1.半导体基础知识、场效应管（MOS） 半导体器件是使用半导体材料制成的电子器件，其具有体积小、重量轻、功耗低、寿命长、工作可靠等优点，分为本征半导体和掺杂半导体。 场效应晶体管式利用电场效应来控制半导体中多数载流子运动的半导体器件。 MOS场效应管用二氧化硅作为绝缘层，在二氧化硅上蒸铝形成栅级，则栅级与源级、栅级与漏级彼此绝缘。 2.影响MOS场效应管的各种参数 （1）直流参数 开启电压（VTO）、饱和漏点流(IDSS)、直流输入电阻（RGS）； （2）交流参数 低频跨导（gm）、极间电容； （3）极限参数 最大漏级电流（IDM）、最大耗散功率（PDM）、漏源击穿电压（UGS）； 3.Multisim软件中模型所参考的MOS重要参数 VTO零偏阈值电压 1.0（以下所标数值均为样值） KP跨导参数 2e-5 GAMMA体材料阈值参数 0.0 PHI 表面电势 0.6 LAMBDA沟道长度调制系数 0.0 IS衬底结饱和电流 1e-14 RD漏极欧姆电阻 0.0 RS源极欧姆电阻 0.0 ......