您现在的位置:网站首页答辩论文工学论文电子工程(报告)

电力半导体器件

  • 简介:根据开通和关断所需门极(栅极)驱动信号的不同要求,开关器件又可分为电流控制型开关器件和电压控制型开关器件两大类: SCR、BJT和GTO为电流驱动控制型器件 P-MOSFET、IGBT均为电压驱动控制型器件 三极管BJT要求有正的、持续的基极电流开通并保持...
    • 请与管理员联系购买资料 QQ:5739126
  • 论文简介
  • 相关论文
  • 论文下载
目录 1.1半导体器件分类
1.2 半导体二极管基本特性 ——单向导电性
1.3 功率三极管BJT(Bipolar Junction Transistor)或GTR(Giant Transistor)
1.4 功率场效应管MOSFET
1.5 绝缘栅极双极型晶体管IGBT
1.6 晶闸管
1.7 晶闸管的派生器件 简单介绍 很好的东西哦
根据开通和关断所需门极(栅极)驱动信号的不同要求,开关器件又可分为电流控制型开关器件和电压控制型开关器件两大类:
SCR、BJT和GTO为电流驱动控制型器件
P-MOSFET、IGBT均为电压驱动控制型器件
三极管BJT要求有正的、持续的基极电流开通并保持为通态,当基极电流为零后BJT关断。为了加速其关断,最好能提供负的脉冲电流。
P-MOSFET和IGBT要求有正的持续的驱动电压使其开通并保持为通态,要求有负的、持续的电压使其关断并保持为可靠的断态。电压型驱动器件的驱动功率都远小于电流型开关器件,驱动电路也比较简单可靠。
查看评论 已有0位网友发表了看法
  • 验证码: