1 .1 III族氮化物材料及其器件的进展与应用
在科学技术的发展进程中，材料永远扮演着重要角色。在与现代科技成就息息相关的千万种材料中，半导体材料的作用尤其如此。以Si为代表的第一代半导体诞生于20世纪40年代末，它们促成了晶体管、集成电路和计算机的发明。以GaAs为代表的第二代半导体诞生于20世纪60年代，它们成为制作光电子器件的基础。III－Ⅴ族氮化物半导体材料及器件研究历时30余年，前20年进展缓慢，后10年发展迅猛。由于III族氮化物特有的带隙范围，优良的光、电性质，优异的材料机械和化学性能，使得它在短波长光电子器件方面有着广泛的应用前景；并且非常适合制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。III－Ⅴ族氮化物半导体材料已引起了国内外众多研究者的兴趣。
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1．2 III族氮化物的基本结构和性质
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四、图表（五号宋体）
1．表式样
表1-1用不同技术得到的带隙温度系数、Eg0、c和T0的值
样品类型 实验方法 带隙温度系数
dEg/dT(eV/K)
T=300K Eg0(eV) c (eV/K)
T0 (K) 参考文献
GaN/Al2O3 光致发光 -5.3210-4 3.503 5.0810-4 -996 61
GaN/Al2O3 光致发光  3.489 7.3210-4 700 59
GaN/Al2O3 光致发光 -4.010-4  -7.210-4 600 62
GaN/Al2O3 光吸收 -4.510-4 ~3.471 -9.310-4 772 63
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目 录（四号宋体）
摘要　…………………………………………………………………………………………　Ⅰ
Abstract ……………………………………………………………………………………… Ⅱ
第一章 GaN基半导体材料及器件进展（多数文章为“绪论”）………………………… 1
1 .1 III族氮化物材料及其器件的进展与应用 …………………………………………… 1
1. 2 III族氮化物的基本结构和性质 ……………………………………………… 4
1. 3 掺杂和杂质特性 …………………………………………………………… 12
1. 4 氮化物材料的制备 ………………………………………………………………… 13
1. 5 氮化物器件 …………………………………………………………………………… 19
1. 6 GaN基材料与其它材料的比较 ……………………………………………………… 22
1. 7 本论文工作的内容与安排 …………………………………………………………… 24
第二章 氮化物MOCVD生长系统和生长工艺 ………………………………………………31
2. 1 MOCVD材料生长机理 …………………………………………………………………31
2. 2本论文氮化物生长所用的MOCVD设备 ………………………………………………32
…………
结论 ……………………………………………………………………………………………136
参考文献（References）………………………………………………………………………138

五、参考文献（五号宋体）
参考文献（References）
[1]Well．Multiple-modulator fraction-n divider[P]．US Patent，5038117．1986-02-02
[2]Brian Miller．A multiple modulator fractionl divider[J]．IEEE Transaction on instrumentation and Measurement，1991，40(2)：578-583．
[3]万心平，张厥盛．集成锁相环路——原理、特性、应用[M]．北京：人民邮电出版社，1990．302-307．
[4]Miler．Frequency synthesizers[P]．US Patent，4609881．1991-08-06．
[5]Candy J C．A use of double-integretion in sigma-delta modulation[J]．IEEE Trans Commun，1985，33(COM)：249-258．
[6]丁孝永．调制式小数分频锁相研究[D]．北京：航天部第二研究院，1997．

参考文献以引用先后顺序编号（注于正文相应处），必须引用直接阅读的原文文献，已录用待发表的文章需引用时，必须注明刊物名称。请在文献题目后给出文献类型标识（专著[M]、论文集[C]、学位论文[D]、报告[R]、期刊[J]、标准[S]、专利[P]。

摘 要（四号宋体）
宽禁带III－Ⅴ族氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器件、短波长激光器、光探测器以及高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。自1994年日本日亚化学工业公司率先在国际上突破了GaN基蓝光LED外延材料生长技术以来，美、日等国十余家公司相继报导掌握了这项关键技术，并分别实现了批量或小批量生产GaN基LED。尽管如此，这项高技术仍处于高度保密状态，材料生长的关键思想及核心技术仍未公开，还无法从参考文献及专利公报中获取最重要的材料生长信息。本论文就是在这种情况下立题的，旨在研究GaN基材料生长中的物理及化学问题，为生长可商品化的高亮度GaN基LED外延材料提供科学依据。
本文在自制常压MOCVD和英国进口MOCVD系统上对III－Ⅴ族氮化物的生长机理进行了研究，对材料的性能进行了表征。通过设计并优化外延片多层结构，生长的蓝光LED外延片质量达到了目前国际上商品化的中高档水平。并获得了如下有创新和有意义的研究结果：
1．首次提出了采用偏离化学计量比的缓冲层在大晶格失配的衬底上生长单晶膜的思想，并在GaN外延生长上得以实现。采用这种缓冲层，显著改善了GaN外延膜的结晶性能，使GaN基蓝光LED器件整体性能大幅度提高，大大降低了GaN基蓝光LED的反向漏电流，降低了正向工作电压，提高了光输出功率。
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本文得到了国家863计划、国家自然科学基金以及教育部发光材料与器件工程研究中心项目的资助。