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巨磁电阻随机存储器的初步研究

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原文

巨磁电阻效应(Giant Magneto Resistance,GM)即物体在外加磁场作用下自身的电阻发生显著变化的现象,1986年德国科学家Grunberg小组、1988年法国科学家Fert小组首先发现了巨磁电阻效应的存在。然而,巨磁电阻效应又与一般的磁电阻效应有着本质的区别:由铁磁金属/非磁性金属/铁磁金属构成的多层纳米薄膜(即巨磁电阻材料,如Fe/Cr),在有外加磁场和无外加磁场下电阻率的变化,在室温下为可达5%,在低温(4 2K)下可以达到110%,远远大于一般铁磁金属1%—3%的磁电阻变化。由于其磁电阻效应如此明显,因此把这种只在磁性多层膜中才能发生的量子力学效应称为巨磁电阻效应


 \ 目录

引言
1.巨磁电阻效应
2.具有巨磁电阻效应的纳米磁性多层膜的制备
3.自旋阀开关器件
4.极化电子的注入效应
5.巨磁电阻效应随机存储器
后记
附录


 \ 参考资料

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[2]《物质的磁性和应用》李国栋
[3]自旋阀巨磁电阻效应及其应用 卢正启《物理》 1998-6
[4]磁电子学——一门新兴交叉学科 詹文山 《物理》1998-7
[5]铁电存储技术 刘敬松,张树人,李言荣 《物理与工程》 2002-2
[6]用自组合仪器测量巨磁电阻材料的电阻 贾肖婵,张勋章 《物理实验》2002-5
[7] 两步法制备的自旋阀巨磁电阻效应研究 卢正启,柴春林,赖武彦 《物理学报》2000-2
[8]巨磁电阻材料的研究与应用 钟喜春,曾德长,魏兴钊,顾正飞《金属功能材料》2002年6月
[9]自旋电子学和计算机硬件产业 赖武彦 《物理》2002-7
[10]磁电自学的应用进展 颜冲,于军,王耘波,周文利,高俊雄, 周东祥《功能材料》2001
[11]磁性金属多层膜中的巨磁电阻效应 姜宏伟《物理》1997-9
[12]巨磁电阻自旋阀多层膜的结构和磁性 孟宪梅,柴春林,朱逢吾,林岚,姜宏伟,赖武彦《北京科技大学学报》1997-4
[13]巨磁阻抗效应的演示与实验 金若鹏,周荣铭《实验室研究与探索》2001-12
[14] 铁电薄膜的制备及其在器件中的应用 张鲁殷,胡晓君《山东科技大学学报》2002年6月
[15] 纳米磁性材料的研究进展 林培豪,曾中明 《电工材料》
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[16]纳米磁性材料 周艳琼,白木《信息记录材料》2001-3

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