文件大小：2.54MB
适用专业：电子信息科学与技术
适用年级：大学
论文编号：205065 论文简介：
毕业论文-InGaN量子点光学特性评测，共73页，
InGaN量子点作为可见光光电器件具有光明前景，引起了人们的广泛关注。光学手段是研究InGaN量子点的重要手段。本论文通过分析InGaN量子点的光致荧光谱、阴极荧光谱和微区光荧光谱，对InGaN量子点的光学特性进行评测。
本论文对InGaN量子点、浸润层和GaN的发光峰进行了指认，对光谱中出现的干涉现象和不均匀性进行了分析，讨论了阴极荧光谱相对光致荧光谱红移的现象，通过微区光荧光谱证明了InGaN量子点发光的存在。
As visible photoelectric devices，InGaN quantum dots show promising future and have attracted widely attention. People have been studying InGaN quantum dots, especially using optical methods. In this thesis, we study the optical character of InGaN quantum
论文文件预览：
共1文件夹，1个文件，文件总大小：2.54MB，压缩后大小：2.34MB
- 毕业论文-InGaN量子点光学特性评测
 毕业论文-InGaN量子点光学特性评测.pdf [2.54MB]
| 