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SiP器件的物理破坏性物理试验

  • 简介:(译文 页数:6 字数:1873)SiP器件的物理破坏性物理试验 概念 本文将研究多芯片封装的可靠性,对合格元件进行破坏性物理实验,使早期失效从过载荷失效分离出来。然后用实验因子处理为失效分析早期失效样品。先用C型声学扫描显微镜成像,后经过一系列的...
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(译文 页数:6 字数:1873)SiP器件的物理破坏性物理试验

概念
本文将研究多芯片封装的可靠性,对合格元件进行破坏性物理实验,使早期失效从过载荷失效分离出来。然后用实验因子处理为失效分析早期失效样品。先用C型声学扫描显微镜成像,后经过一系列的可靠性试验,SiP的可靠性得到证实。
I.介绍
微型和轻型使SiP成为热门。SiP不仅减少了尺寸,同时解决了SoC的固有缺陷。SoC技术不能再同一基材上融入不同的功能,因为复杂半导体产品的材料、工艺、金属特性和极性很不一样,而且比SiP花费更长的先期设计时间[1][2]。同时SiP表现出高可靠性。所有的这些优点使SiP如今很流行。最近,物理破坏性试验被广泛运用于特定条件或特殊应用的器件。通过浴盆曲线筛选早期失效元件。本论文着重于由SOP24生产线生产的SiP器件可靠性[2]。物理破坏性试验运用于合格以证明其可靠性。分析失效器件以尽可能完善其结构设计和技术。研究的目的是为正在进行的汽车安全电子项目提供参考工作数据,后者正面对极端严格的可靠性水平。SiP由极部分和半导体元件构成,复杂内部的连接,封装状态和 组装技术的应用等将影响可靠性。因此,破坏性物理实验对SiP器件是必要的,尤其对汽车。这种试验方法运用于合格器件。
II、抽样描述
YJ6221生产于SOP24生产线[2]。封装体内部有HT6221芯片,8050晶体管,47欧姆电阻和1K欧姆电阻。样品由正常储存条件下储存100天的产品取出。当然,选择的样品通过了所有的功能测试。

目录

I.介绍
II.抽样描述
III. 试验
IV.失效分析
V.结论

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