(论文 字数:2238 页数:8)1、设计任务 一. 设计目标: 2、P阱BICMOS集成电路的生产工艺流程 硅片的准备——n+埋层的制备——n型外延层的制备——P阱的制备——场区隔离的制备——cmos管的阀值调整注入——深n 收集极接触的制备————基区的形成刻——栅的形成——nmos的源漏注入和双极晶体管的发射极的形成——pmos的源漏和基区接触的形成——金属互联—封装 3、P阱BICMOS集成电路的生产工艺步骤 1.目的:为了减小收集结的结电容并提高收集集的击穿电压,于是采用轻掺杂的P型衬底,晶向为〈100〉。之所以选择P型,是因为当器件加上工作电压时,器件中的N型与处于低电位的P型衬底形成反偏,形成PN结隔离。选择〈100〉晶向,是为了让bicmos上的cmos和双极晶体管之间更加兼容。 2.准备:准备一块符合要求的轻掺杂的P型硅片。保持其(100)晶面朝上,其它工艺便在(100)晶面上进行。 二.埋层的制备: 1.目的:为了减小npn双极性晶体管的收集极的串联电阻和cmos管中直接在n型外延层上形成的pmos管的n型衬底与整个器件的p型衬底间的串联电阻,以及减小寄生pnp管的影响,于是便在p型衬底上生长n+埋层。 2.制备工序: A.首先在衬底上生长一层二氧化硅。 说明:通过干氧氧化的方式(由于只生长一薄层二氧化硅而又要起到良好的掩蔽作用,干氧氧化的效果好)把淀积的硅变成SiO2. B:进行第一次光刻,干法刻蚀露出埋层区域 说明:在SiO2上涂上光刻胶.,然后通过前烘-----曝光(压版)-----显影-----坚膜-----刻蚀----去胶,从而露出了埋层区域.其中采用干法刻蚀是为了精确刻蚀埋层区. C.向埋层区域通过离子注入的方式掺入砷 D.用湿法去除全部的SiO2层 说明:因为去除SiO2不需要精确控制其刻蚀图形及横向范围,采用此种方式工艺简单.
目录
一.硅片的准备: 二.埋层的制备 三.N型外延层的制备 四.P阱的制备 五.场区隔离的制备 六.cmos阀值调整注入 七.深n 收集极接触的制备 八.基区的形成 九.栅的形成 十.nmos的源漏注入和双极晶体管的发射极的形成 十一.pmos的源漏和基区接触的形成 十二.金属互联 十三.封装 |