TQ5132是一个电源电压为3V的基于RFA/混频集成的码分多址/高级移动电话服务的双边带电路芯片,其在无线通讯上发挥着重要作用,它是以名为SOT23-8为封装成型的小型芯片,运行时仅需 3V电压,且为低电流,其引脚还具有电路放大增益和工作模式选择,转换快,效率高,并且还有与外界文件存储衔接等功能,它在IS-95 CDMA与AMPS移动电话及双重模式边带应用软件中有着重要的影响。 WIRELESS COMMUNICATIONS DIVISION 无线通讯 1.芯片TQ5132内部结构示意图 2.芯片描述: TQ5132 是一个特别为带宽频率扩展和高级移动电话服务的无线通讯技术应用而设计的RFA/混频集成电路,它的射频能够满足芯片对IS-95和高级移动电话的服务标准。芯片TQ5132设计的目的是为了能让TQ3131或TQ3132(即CDMA/AMPS LNA)为频率为800MHz具有双重功能模式的电话提供一个完善的码分地址接收器。 CDMA,AMPS和旁路工作方式选择决定了RFA与混频器芯片一体化的转换,当需要用到TQ3131或TQ3132(即CDMA/AMPS LNA)时,四个增益方法是可用的。内部射频输入口输入阻抗是50 ,这不仅使设计变得很简单,还使外部构成数目达到最小化。TQ5132能够达到一个很好射频性能,它不仅有低功耗能力而且也能在便携式应用中能支持长时间可靠消息的传输。再外加小型的SOT23-8包, 就能组成一个在理论上适合移动胞带电话的完美组合。 表1是为芯片规格说明: 表1 下面表2是为芯片特性描述,并分别介绍了芯片正常工作时的射频频率和信息接收器频率范围以及四种增益方式下CDMA与AMPS的增益、噪声指数、输入量和在恒温下提供的电流和电压等的参数及条件。 表2 在实际应用中芯片参数总有一个使用限量,从表3看出,则规定了芯片在绝对范围内各客观参数所允许达到的最大裕度。 表3 表3中分别列出了芯片工作时的直流提供量、功耗、操作和存放温度、以及信号输入输出所必需达到的水平和任何一个连接芯片的附属者最大电压。 3.性能指标 接下来运用图形曲线来表述芯片正常工作时各参数的频率温度的工作性能: 由上图:~图分别展示了CDMA在高增益、低增益工作模式以及AMPS工作状态下增益、输入的对比信号、噪声指数的频率与温度变化以及无线通讯中各信号的伏特电流特性。 二:芯片TQ5132各引脚与外部电路的基本接口图: ...... |