第一章 引 言
1.1 研究背景
随着电力电子技术的迅猛发展，MOSFET得到了更为广泛的应用。MOSFET用栅极电压控制漏极电流，因此驱动电流在100nA量级，直流电流增益达108~109，栅极几乎不消耗功率，它的输入阻抗是纯电容性的，因此，MOSFET的驱动功率小，驱动电路简单；MOSFET的热稳定性优于双极性电力晶体管，因为单极性的MOSFET具有正的电阻温度系数，杂电流加大时，温度上升，电阻加大对电流起自限作用，多只管子并用时有自动均流作用，这是双极性电力晶体管所没有的；MOSFET不存在双极性电力晶体管不可避免的少数载流子的存储效应，因而开关速度快，工作频率高，这是其他电力电子器件达不到的；且MOSFET无二次击穿特性[1]。
同时，伴随着电子技术的发展，人们对功率开关模式的要求也更加严格。这些要求通常指的是：高的功率密度，快速的响应时间，高的精确度和高的工作频率。一个典型的例子就是广泛应用于计算机处理器的VRM电压调整模块，随着计算机技术的不断升级，VRM也将发生巨大的改变。计算机处理器的运行速度几乎每18个月就翻一番，这样计算机将工作在越来越高的频率下，也将会对与之相对应的VRM提出更高的要求：VRM的输出电压越来越低，输出电流越来越大，低电压可以减少处理器的功率损耗，大电流将会为计算机提供更好的性能。为了设计出低电压大电流的VRM，应尽量缩短其响应时间，这样将使更大的电流在更短的周期内流过电路，同时在低输出电压条件下，不可避免的会产生纹波；这些情况在设计中都是允许的。快速响应时间以及严密的校正都要求VRM开关频率的不断提高，换言之，高速的处理器是建立在高速的VRM基础之上的。在设计VRM时，应尽量缩小其体积。开关频率不断提高，就可以缩减组成VRM的电感电容的体积。
但是增大VRM的开关频率并不容易做到，其主要的限制来源于效率η。当VRM工作在高频时
......

第一章 引言………………………………………………………（1）
1.1 研究背景………………………………………………（1）
1.2 功率MOSFET驱动电路要求 …………………………（2）
第二章 互补驱动电路……………………………………………（8）
2.1 互补驱动电路结构……………………………………（8）
2.2 互补驱动等效电路……………………………………（9）
2.3 互补驱动损耗分析……………………………………（10）
2.4 小结……………………………………………………（14）
第三章 谐振驱动电路……………………………………………（16）
3.1 谐振驱动电路工作原理………………………………（16）
3.2 谐振驱动电路损耗分析………………………………（21）
3.3 谐振驱动电路中的器件选择…………………………（24）
3.4 小结……………………………………………………（25）
主要参考文献…………………………………………………（26）

【1】、关电源的原理与设计，张占松，蔡宣三编，电子工业出版社，2004
【2】、Resonant Gate Drive Techniques for Power MOSFETs，Yuhui Chen
【3】、现代电力电子技术基础，张立编，高等教育出版社，1999
【4】、稳定电源实用电路选编，曲学基，王增福，曲敬铠编著，电子工业出版社，2003
【5】、几种MOSFET驱动电路的研究，龚春英，刘煜，肖岚，南京航空航天大学自动控制系博士论文，2001
【6】、功率场效应管MOSFET，周志敏编，电子工业出版社，2004
【7】、中功率DC/DC变流器模块标准化若干关键问题研究，张军明，浙江大学博士论文，2004
【8】、软开关功率变流器及其应用，王聪编，北京科学出版社，2000
【9】、新型开关电源设计与应用，科学技术出版社，2001
【10】、MOS集成电路分析与设计基础，清华大学出版社，1994
【11】、半导体物理学，朱秉升，罗晋生编，国防工业出版社，1994
【12】、MOS集成电路的分析与设计，邵丙铣,郑国祥编，复旦大学出版社，2000

文章介绍MOSFET的各种驱动电路，给出了各种驱动的电路图，对其原理进行了讲解并对各电路的优缺点进行了分析比较。详细的分析了互补的MOSFET驱动电路工作原理、驱动损耗。主要介绍了一种用于功率MOSFET谐振栅极驱动电路,该电路通过循环储存在栅极电容中的能量来减少驱动功率损耗的目的,从而保证了此驱动电路可以在较高频率下工作。